长鑫LPDDR5X达10667Mbps水平，封装突破助推半导体价值链上行

从长鑫存储官网获悉，长鑫已经推出LPDDR5X产品系列产品，标志着国产存储芯片在封装技术领域取得重要进展。

官网信息称：“LPDDR5/5X是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。通过创新的封装技术和优化的内存设计，长鑫存储LPDDR5X在容量、速率、功耗上都有显著提升，目前提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量，最高速率达到10667Mbps，达到国际主流水平，较上一代LPDDR5提升了66%，同时可以兼容LPDDR5，功耗则比LPDDR5降低了30%。长鑫存储LPDDR5X 首创uPoP®小型封装，满足移动旗舰手机更轻更薄的需求，以超强性能优化使用体验，助力设备突破性能瓶颈，开启移动智能新体验。”

根据集微网消息，目前长鑫存储LPDDR5X的产品包括颗粒、芯片及模组等形态。芯片形态提供了覆盖12GB、16GB、24GB等多个容量点的解决方案。模组形态的LPCAMM产品容量为16GB和32GB。LPDDR5X产品的速率覆盖了8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps，同时兼容LPDDR5。

目前8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X产品已于今年5月量产，10667Mbps速率的产品已经启动客户送样。最令人惊喜的是，LPDDR5X产品的速率已提升至10667Mbps这一行业领先水平——该速率表现与SK海力士于去年10月实现量产的同类产品处于同一水准。随着AI应用普及，端侧设备（如旗舰手机、AI PC）需要内存提供更高传输速率和更大容量，以支持大模型在本地高效运行。LPDDR5X产品实现部分量产，对国内移动产品旗舰市场、电动汽车等产业的供应链国产化具有重要意义。

封装技术对实现以上成果具有关键支撑。在半导体产业链中，封装技术已成为影响芯片性能、功耗与尺寸的关键环节。此前，长鑫存储在不久前ASICON的技术交流中也介绍了其正在研发一款厚度仅为0.58mm的LPDDR5X，如果这款产品成功量产，将会是业内最薄的LPDDR5X产品。

长鑫正在开发的HiTPoP封装技术，严格遵循JEDEC制定的焊球布局标准，确保与现有主板设计兼容，但通过减薄技术，有望改善因SoC温升导致的DRAM高速IO性能瓶颈。

该技术具有显著的市场价值。首先，该技术契合移动终端轻薄化发展趋势，为设备内部空间布局提供更大设计余地；其次，在端侧AI计算需求快速增长的背景下，超薄封装有助于优化散热路径，保障芯片持续高性能输出。

在智能手机领域，国产高性能内存的稳定供应将降低整机厂商对进口存储芯片的依赖，增强供应链韧性。随着AI手机、折叠屏等创新形态对内存带宽与空间布局提出更高要求，长鑫的0.58mm超薄LPDDR5X可为设备内部留出更多空间，用于搭载更大容量电池或更复杂的多摄模组，同时有助于优化整机散热设计，维持高性能持续输出。目前，长鑫存储的客户覆盖小米、OPPO、vivo、传音等头部手机厂商，并凭借可靠的产品表现建立起稳定的市场基础，为国产存储芯片的持续创新与生态拓展提供了有力支撑。

业内分析认为，长鑫存储在封装技术领域的突破，展现了国产芯片企业从产品设计到制造封测的全链路技术积累。随着国产存储芯片在技术指标与量产能力上的持续提升，中国半导体产业正在全球价值链中实现稳步上行。