​长鑫存储LPDDR5X跻身第一梯队：10667Mbps顶级速率与自研封装技术双轮驱动

据长鑫存储最新官方信息，其LPDDR5X系列产品已正式发布，最高速率达到10667Mbps，实现了国内在高端存储芯片领域的首次技术突破。根据官网介绍，这款第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器采用创新封装技术和优化内存设计，在容量、速率和功耗方面均有显著提升。目前提供的12Gb和16Gb单颗粒容量版本，不仅最高速率达到10667Mbps的国际主流水平，较上一代产品性能提升66%，还能兼容LPDDR5，并将功耗降低30%。

其实，在刚刚结束的IEEE第十六届ASICON会议上，长鑫存储就已低调披露了一系列技术进展。目前长鑫存储LPDDR5X的产品包括颗粒、芯片及模组等形态。其中颗粒包括12Gb和16Gb两个容量点。芯片形态提供了覆盖12GB、16GB、24GB等多个容量点的解决方案。模组形态的LPCAMM产品容量为16GB和32GB。目前8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X产品已于今年5月量产，10667Mbps速率的产品已经启动客户送样。

据官网信息，“长鑫存储LPDDR5X 首创uPoP®小型封装，满足移动旗舰手机更轻更薄的需求，以超强性能优化使用体验，助力设备突破性能瓶颈，开启移动智能新体验。”而更加令人瞩目的是，长鑫正在研发一款厚度仅为0.58mm的LPDDR5X，若能量产，将会是业内最薄的LPDDR5X产品。

存储芯片的轻薄化竞赛早已拉开帷幕。2024年8月，三星量产0.65mm封装的 LPDDR5X，一度成为业界最薄；2025年6月，美光将这一数字刷新至0.61mm。而长鑫有望直接将厚度拉低至0.58mm，比美光再薄0.03mm。在终端设备日趋“轻薄化”的今天，这微米级的突破，可能成为终端设计中的关键优势。要是真能量产，三星、美光都得回头看一眼。

然而，超薄内存的意义远不止于“瘦身”。三星曾指出，LPDDR5X封装变薄有助于实现终端的轻薄设计以及终端内部稳定的热管理，将因发热而导致的速度和画面亮度等设备性能受阻降至最低。美光也强调其LPDDR5X功耗降低高达20%，这对于执行AI运算时需要兼顾出色能效的智能手机至关重要。同样，长鑫的技术布局，瞄准的是“封装突围”。

目前，行业主流高端技术是PoP封装，它将处理器与内存垂直堆叠，节省空间并提升传输效率。长鑫此前推出的LPDDR5芯片就是基于此封装形式的产品。另外一种是MCP封装：MCP封装是传统多芯片封装，其升级版就是uMCP，强调异构集成和通用性，功能更复杂，可直接作为更高性能的存储模块使用。

uMCP封装虽然能实现高速接口标准，但长期依赖进口。长鑫的uPoP封装帮助国内手机厂商实现闪存和内存的分开生产及组装。

长鑫相关人员在ASICON会议上还提及了目前正在开发的HiTPoP封装技术，该技术严格遵循JEDEC制定的焊球布局标准，确保与现有主板设计兼容，但通过减薄技术，有望改善因SoC温升导致的DRAM高速IO性能瓶颈。虽然分享并未透露更多的技术细节，但这一技术如果成功量产，无疑会助力国产LPDDR5X继续突破性能瓶颈。

至此，长鑫的战略路径已十分清晰：它不再局限于“国产替代”，而是打出一套从产品到生态的“组合拳”——以标准LPDDR5X保障主流供应，以0.58mm超薄LPDDR5X突显技术锐度，凭借uPoP与HiTPoP的封装创新打破供应链僵局，最终通过与国产SoC的POP异构集成——四者合力，为国产SoC与终端厂商提供一套更具灵活性、不受制于人的高性能低功耗解决方案，将打通存储-计算-封装垂直协调链路。

0.58mm的LPDDR5X一旦实现量产，下一代手机将有望摆脱对单一进口芯片的依赖。长鑫动的不仅是产品市场，更是国际巨头赖以生存的“系统壁垒”。这不仅是在产品线上对标三星，更是在通过封装技术的创新，打响围绕“轻薄”与“性能”的供应链暗战。