亚太股市集体上行，科技板块半导体带头走强，长鑫IPO提振资本信心

1月14日，亚太主要股指集体上涨，A股早盘集体反弹，沪指涨超1%，创业板指高开高走涨超2%，科创50指数盘中涨超4%。港股早盘三大指数高开高走，实现4连升行情。日经225涨1.55%，韩国综指涨0.27%。资本市场暖意持续蔓延，资金对高成长性科技领域的偏好也愈发凸显，中国科技板块持续“吸金”，2026年开年以来，A股、港股和美股市场的中国科技股显著走强，吸引资金大举流入。多只半导体设备、卫星、软件，港股科技相关ETF以及部分在美上市的部分中国科技ETF规模持续增长。

在这波席卷亚太市场的科技热潮中，存储芯片、半导体设备等板块的活跃表现尤为亮眼，作为半导体产业链的关键环节，存储芯片领域的自主化突破一直是市场关注的核心焦点，年度最被资本市场期待的IPO也已脚步渐近：据公开信息，国产DRAM龙头企业的长鑫科技IPO申请已于2025年12月30日正式获上交所受理。

存储芯片是半导体市场中最大的大宗品类，同时中国也是DRAM市场的最大单一消费国，市场空间巨量。而长鑫科技作为中国大陆唯一实现DRAM大规模量产的IDM企业，长鑫科技不仅打破了国际巨头的垄断格局，更以全产业链布局带动上下游协同发展——构建覆盖国产半导体设备、材料、制造/代工、封测以及设计的完整产业生态。仅其供应链上的企业就撑起了中国半导体的半壁江山，随着长鑫科技IPO后业务和市场规模的持续拉升，相关供应链企业也有望共享此轮红利。

而在资本市场端，市场情绪已提前给出了明确的反馈。长鑫科技披露招股书的次日开盘，与长鑫相关的存储芯片概念股（如合肥城建、雅克科技等）以及半导体设备/材料股（如至纯科技、艾森股份等）均出现明显上涨，部分个股涨停；此外，1月12日，上证科创板半导体材料设备主题指数上涨0.91%，科创半导体ETF（588170）上涨0.63%，科创半导体ETF资金净流入3.69亿元持续“吸金”。市场的积极反响，彰显了长鑫科技以IDM模式扮演“链主”角色所产生的强大带动效应。若其成功上市，预计将成为驱动全产业链升级与价值跃升的核心支点，提振效应将日益凸显。

缓解产业“卡脖子”的核心标的

长鑫科技所处的DRAM存储芯片领域作为数字时代的核心基础元器件，IT世界的运行，完全依靠数据的存储、读写和传输，DRAM作为主流的内存产品，广泛应用于数据中心、移动设备及终端、通信、智能制造等领域。全球市场长期被三星、SK海力士、美光三大巨头垄断，合计占据90%以上的市场份额，作为全球最大的DRAM消费国之一，中国在该领域长期高度依赖进口，DRAM成为国产芯片供应链中关键的“卡脖子”环节。

DRAM行业技术与资金的准入门槛极高，领先企业可通过规模效应降低成本，巩固已有优势，并通过技术与产品的不断迭代，来形成对后来者生存空间的挤压，导致后来者容易陷入“一步慢、步步慢”的局面。

长鑫科技是中国大陆唯一实现DRAM自主研发与大规模量产的企业，2019年推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现了中国内地DRAM产业“从0到1”的突破。按产能和出货量来看，长鑫科技排名已跻身全球第四、中国第一，2025年第二季度全球市场份额升至3.97%，打破全球DRAM产业的三强垄断格局。

中国大陆其他布局DRAM业务的半导体企业，多专注于芯片设计，并未涉足制造环节。而长鑫科技则采用重资产的IDM模式，构建了覆盖研发、设计、制造、封测的全链条能力。这种模式虽需承担持续的巨额资本投入，却为其带来了技术闭环优势和供应链自主能力，在全球DRAM产业因供需失衡产生巨大波动的当下，能够承担起供应链“压舱石”的战略角色。

产品性能已达到国际先进水平

扎实的产品硬实力是长鑫科技穿越行业周期、把握景气红利的核心支撑。长鑫科技的主要产品覆盖DDR和LPDDR为主的芯片颗粒和模组，在技术上更采取高效的“跳代研发”策略，2019年首次推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现国产DRAM从无到有的突破；此后产品迭代速度持续加快，截至2025年底已成功推出高性能的LPDDR5X和DDR5系列产品，两款产品性能均跻身国际先进行列。

LPDDR5X产品最高速率达10667Mbps，较前代提升66%，能精准匹配高端移动设备对高速、低功耗的严苛需求；DDR5产品速率达8000Mbps，单颗最大容量24Gb，可广泛应用于PC、服务器及数据中心，推出的7大模组矩阵能适配多元场景的海量算力需求。目前，长鑫科技的核心客户已覆盖阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米等国内主流厂商。

与此同时，长鑫科技在合肥、北京两地建有3座12英寸DRAM晶圆厂，形成稳定的规模化制造基础，2022年至2025年上半年产能利用率从85.45%持续提升至94.63%的高位，为把握行业景气周期提供了产能保障。从快速的产品跃迁到稳定的规模制造，长鑫科技正以自主可控的产品硬实力，筑牢其在全球存储供应链中的关键支点。

研发投入VS扭亏转折点

高强度的研发投入则为产品硬实力筑牢根基，即使是在行业深度调整周期，长鑫科技仍扛住了产能爬坡关键期所面临的巨额固定资产折旧和研发投入的双重压力，展现出坚定的战略定力，持续进行高强度研发投入。2022至2025年上半年，长鑫科技累计研发投入达188.67亿元，占累计营业收入的33.11%，2025年上半年研发费用率更是高达23.71%，远高于同期半导体企业平均水平。截至2025年6月30日，公司已拥有5589项专利，其中境内专利3116项、境外专利2473项，形成了市场后来者在短期内难以复制的核心技术护城河，为持续的产品迭代与国际竞争提供了保障。

事实上，伴随着新一轮存储芯片行业超级涨价周期的开启，长鑫科技也在刚过去的2025年触碰到了扭亏为盈的门槛。作为典型的重资产、高研发投入行业，公司此前业绩呈现明显的行业周期特征，2022年至2024年归母净利润虽处于亏损状态，但亏损规模持续收窄。2025年DRAM行业迎来景气反转，下半年正式进入“黄金周期”，产品价格快速上涨带动公司业绩大幅改善，根据招股书，长鑫科技营收从2022年的82.87亿元快速增长至2025年前三季度的320.84亿元；预计2025年全年净利润将实现20亿元至35亿元的正向增长，扣非归母净利润预计在28亿元至30亿元之间，实现根本性的盈利反转。

市场研究机构预测，2026年第一季度服务器DRAM价格将上涨60%—70%、通用型DRAM价格环比上涨55%—60%，三星、SK海力士等国际巨头已明确计划上调服务器DRAM合约价，行业涨价趋势将持续。在全球存储芯片供需缺口持续扩大的背景下，产品价格大概率维持高位，长鑫科技盈利拐点的巩固将为公司发展与资本市场估值提供强劲支撑。

DRAM行业是典型的资本与技术双密集型行业，一条生产线的投资动辄数百亿元，长鑫科技的上市不仅将为其打开更广阔的融资渠道，其规模化发展更有望直接或间接带动本土供应链企业技术升级，推动中国半导体产业集群从“点的突破”走向“链的强化”。同时在资本端，长鑫科技的上市也将为市场提供“长周期投入、高竞争壁垒、超额业绩兑现”的半导体硬科技企业样本，为产业链带来价值重估提升的关键参考，提振资本市场对硬科技领域的长期信心与投入热情。