存储板块切换“技术成长”，IDM模式稀缺性凸显

存储市场再传短缺信号，美光表示，过去一个季度内存芯片短缺的情况愈演愈烈，并重申由于人工智能基础设施所需的高端半导体需求激增，这种短缺局面将持续到今年以后。“我们目前面临的短缺情况确实前所未有，预计这种情况在2026年之后仍将持续。”美光运营执行副总裁Manish Bhatia表示。

与此同时，摩根士丹利发布的研究报告显示，传统存储芯片市场供需缺口正持续拉大，2025年二季度至2026年行业将步入新一轮超级周期，DDR4、DDR3、NOR Flash及SLC/MLC NAND等品类供应紧张格局持续加剧，市场短期维持乐观预期。

与上一轮仅由供需缺口单一因素驱动的存储“缺芯”周期不同，本轮存储芯片涨价叠加了技术迭代与产品创新的共振效应。一位TMT行业分析师表示，AI场景对存储提出大容量、高带宽的需求，而边缘与端侧场景则侧重低延迟、高性能及小尺寸特性，这倒逼行业在芯片设计、先进封装、测试设备等多领域适配AI时代需求，研发兼顾容量、性能、功耗与尺寸的综合型产品，存储与先进封装的深度整合成为行业趋势。

这也意味着，当前市场对存储板块的估值逻辑，已不再局限于涨价带来的短期红利，更叠加技术迭代、产品创新及端侧落地的成长预期。而对于在此背景下正推进IPO的长鑫科技而言，市场从短期价格到长期成长的转换，或能为其带来进一步的价值提升空间。

存储行业“正向循环”，IDM模式稀缺性更为凸显

存储行业景气度的持续攀升，为处于“重资产、重技术、长周期”投入的存储芯片企业提供了技术研发的窗口期与充足资金支撑，而这种正向反馈又进一步推动企业加速技术升级、形成竞争闭环。

长鑫科技是目前中国大陆唯一实现DRAM规模化量产的IDM企业，持续加码研发投入，其2022年至2025年上半年累计研发投入达188.67亿元，占累计营收的33.11%，2025年上半年研发费用率更是高达23.71%，高于同期行业平均水平。依托“设计-研发-制造-封测”全链路垂直整合模式，长鑫科技将外部红利持续转化为研发实力，在本轮超级周期中逐步构建起差异化竞争优势。

相较于依赖外部代工的Fabless模式，IDM模式赋予长鑫科技更强的供应链韧性与技术协同效率，能够实现设计方案与制造工艺的深度适配，快速响应市场需求变化，同时有效控制生产成本，在产能结构性紧张的格局中掌握主动权。国际DRAM头部大厂普遍采取IDM模式，而在国内能以IDM模式打通全链路的企业也仅有长鑫科技一家，市场稀缺性不言而喻。

公开信息显示，目前长鑫科技在合肥、北京两地建有3座12英寸DRAM晶圆厂，形成稳定的规模化制造基础，2022年至2025年上半年产能利用率从85.45%持续提升至94.63%的高位，产能规模位居中国第一、全球第四，为把握行业景气周期提供了产能保障。目前，长鑫科技的全球市场份额已增至3.97%，随着上市募资带来的产能加速释放，其市场份额有望进一步提升。

产品迭代层面，在长鑫科技成立之初，国内DRAM核心制造领域处于空白状态。长鑫采用“跳代研发”策略，2019年9月首次推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现国产DRAM“从零到一”的突破，并完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等主流产品的覆盖与迭代。并在2025年最新发布DDR5和LPDDR5X产品，DDR5产品最高速率已突破8000Mbps，单颗粒容量覆盖24Gb，同步推出七大模组产品覆盖全领域，性能跻身国际先进行列；LPDDR5X产品速率更是高达10667Mbps，较上一代提升66%，功耗降低30%，实现与国际巨头同规格产品对标。

产能补位，缓解市场供给波动风险

AI需求的爆发式增长重塑了全球存储芯片供需格局，一方面催生了对大容量、高带宽存储产品的需求，另一方面国际存储巨头为聚焦高端产品赛道，纷纷转移成熟制程产能、收缩通用型存储供给，直接加剧了行业结构性供给失衡，给下游电子产业带来供应链波动风险。

长鑫科技已然成为全球DRAM供应端的第四极，其对市场的支撑也进一步完善了国内存储产业的供给体系，填补中国大陆在规模化DRAM制造领域的空白，为中国数字基础设施建设提供关键元器件的自主保障。

从招股书来看，长鑫科技本次募资拟持续推进技术升级与产能扩充，持续强化产品供给能力，为国内终端产业提供稳定可靠的国产存储芯片供给。这种产能补位并非简单的规模扩张，而是基于国产产业链协同的精准布局，既保障了下游产业的生产连续性，又降低了终端企业因国际供给波动面临的成本上涨与断供风险。

产业龙头的上市进程，不仅是自身迈向资本市场的重要一步，上市后借助资本的支撑更将对产业供需进一步优化，并作为行业“标杆”提振市场韧性与信心。