“全球百强创新机构”榜揭晓，长鑫科技凭技术产品硬实力登榜

1月21日，全球知识产权与科技信息分析的权威机构科睿唯安（Clarivate）发布2026年度“全球百强创新机构（Top 100 Global Innovators 2026）”榜单。中国存储芯片龙头企业长鑫科技凭借在DRAM领域的高强度研发投入与扎实专利储备首次荣登“全球百强创新机构”榜单，也是此次上榜的7家中国大陆企业中，唯一一家半导体存储企业。

自2012年起，科睿唯安“全球百强创新机构”榜单便以严苛的评估体系成为全球科技领域创新能力的“风向标”。榜单评估维度基于技术影响力、创新投资力度、全球化布局及独特性等多项核心指标，对企业创新实力进行全面评估，既考察专利数量与质量、全球分布及引用授权情况，也聚焦技术创新对产业与社会的实际价值，是全球公认衡量企业综合创新水平的关键标尺，能入选榜单的企业均为各自领域引领全球技术演进的核心力量。此前，华为、腾讯等中国大陆企业曾多次上榜，而长鑫科技的首次入围，填补了中国大陆半导体领域在该榜单的空白。

此次与长鑫科技一同上榜的中国大陆企业还包括腾讯、华为、京东方、宁德时代、中兴通讯、TCL科技，重点聚焦信息通信、显示、新能源、AI等赛道，正是中国当下硬科技领域的群像写照。可见在中国科技企业创新能力与综合实力稳步提升的同时，国际市场也在对中国核心科技领域发展进程与未来潜力投下“信任票”。

入选“全球百强创新机构”，产品性能已追平领先水准

科睿唯安在榜单中对长鑫科技上榜给出的理由是：专注于DRAM存储技术的自主研发与创新，为全球电子产业链提供关键支撑。据公开信息，长鑫科技是目前中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，截至2025年6月30日累计拥有5589项境内外专利，专利资产在“质”与“量”的双轮驱动下稳步积累。

深厚的创新积淀也已有效转化为实打实的产品竞争力。在长鑫科技成立之初，中国DRAM核心领域处于空白状态。长鑫科技2019年9月首次推出自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现国产DRAM“从零到一”的突破，此后快速推出多款产品均成为国产首款，目前其推出的最新产品LPDDR5X和DDR5性能均达到国际领先水平：LPDDR5X系列产品速率突破10667Mbps，较上一代提升66%，满足高端智能手机、平板等移动终端对高速率、低功耗的需求；DDR5产品速率高达8000Mbps，单颗最大容量24Gb，可广泛应用于 PC、服务器及数据中心等领域，两款最新产品性能均处于国际领先梯队。

长鑫IPO进行时，或带动产业创新升级

此次长鑫科技登榜被业内解读为国际市场对中国半导体存储企业技术实力的重要认可，也折射出中国存储芯片在自主化进程中的阶段性突破。目前长鑫科技正积极推进IPO进程，2025年12月30日，其科创板IPO申请已获上交所正式受理，招股书显示，其拟募集资金将继续聚焦DRAM领域的关键技术升级与产能扩充，进一步强化产品实力与供给能力。

此外，在研发投入方面，2022年至2025年上半年，长鑫科技累计研发投入超188亿元，占累计营业收入的33.11%，2025年上半年研发费用率达23.71%，远高于同期行业平均水平。从行业角度看，在竞争激烈的DRAM赛道，唯有在技术研发方面长期投入的“战略定力”才有可能为企业建立起有效的竞争壁垒并形成正向循环的技术创新机制，实现竞争能力的持续提升。而长鑫科技作为国产DRAM产业的“链主“企业，在为国内终端产业提供稳定可靠的国产存储芯片支持的同时，更能够带动其供应链上下游实现产业能力的整体升级。

业内人士分析指出，当前全球存储芯片市场格局处于重塑阶段，叠加AI算力需求爆发的行业机遇，长鑫科技入选“全球百强创新机构”榜单，不仅为其IPO进程提供了重要的外部认可度支撑，也成为中国半导体产业创新发展的标杆案例。预计随着长鑫科技上市后在研发投入与产品升级方面的持续推进，其IDM模式有望进一步带动上下游产业链协同创新，推动中国存储芯片产业从消费大国向创新型产业集群转型，为全球半导体产业注入中国元素。