存储超级周期持续发力，国际巨头联手提价，国产龙头如何改写“游戏规则”？

近期全球DRAM市场迎来两大标志性事件：主流PC DRAM产品DDR4价格突破11美元关口，创下2016年6月价格追踪以来的历史新高；三星电子与SK海力士顺利完成与苹果的谈判，大幅上调今年第一季度供应给iPhone的低功耗DRAM（LPDDR）价格，涨幅分别超80%与接近100%。这两大事件并非孤立存在，而是全球DRAM市场进入“超级周期”的直观体现，背后折射出供需结构的深刻变革，也为全球存储产业格局带来深刻影响与重构机遇。

巨头“弃低追高”引发供需错配

DRAM价格的持续飙升，核心驱动力是AI浪潮引发的结构性供需失衡，叠加供给收缩与库存低位形成的共振效应，而非简单的行业周期波动。从需求端来看，全球科技巨头对AI基础设施的激进投资，直接推动DRAM需求呈指数级增长——单台AI服务器的内存需求是普通服务器的8到10倍，大量产能被高端AI存储占用，间接挤压消费级DDR4、LPDDR产品的供应空间。同时，消费电子市场库存去化完成，个人电脑、智能手机出货量同步复苏，进一步加剧市场需求压力，形成“AI需求+消费需求”双重拉动的格局。

供给端的收缩则成为涨价的关键推手。三星、SK海力士、美光三大巨头占据全球主要的DRAM市场份额，形成高度垄断格局。为追求更高利润，三大巨头纷纷开启“弃低追高”策略，将先进产能转向高毛利率存储产品，导致传统DDR4、LPDDR所需的成熟产能大幅缩减。市场研究机构数据显示，2025年DRAM行业平均库存周期降至10周，其中原厂库存仅2到4周，处于极度紧张状态，这种供需缺口直接推动价格持续上涨。

对于三大巨头而言，此次涨价潮是实现盈利反转的重要契机。美光2026财年第一季度财报显示，其DRAM业务单季营收突破108亿美元，同比激增69%，创历史新高；三星、SK海力士也因价格上调，股价同步走高，过去半年三星股价累计上涨128%，SK海力士股价涨幅更是高达228%。在盈利驱动下，三大巨头短期并无大规模扩产传统DRAM的计划，反而持续加码高利润产能，这意味着未来1到2年内，DRAM供应紧张局面难以缓解，价格高位运行将是常态。花旗预测，2026年DRAM产品的平均售价或将上涨88%，远超此前预期。

存储超级周期下的国产机遇

全球DRAM市场的剧烈波动，深刻影响着中国DRAM市场。作为全球最大的电子终端生产国和消费国，中国是全球DRAM最大的需求市场之一，但过去很长时间内国内DRAM高度依赖进口，核心市场被三星、SK海力士、美光三大巨头掌控。

此次国际DRAM价格的暴涨，直接导致国内终端厂商的采购成本增加，盈利压力持续传导。对PC、智能手机等薄利行业而言，内存成本占比提升，要么压缩自身利润空间，要么被迫上调终端产品价格，削弱市场竞争力。更值得警惕的是，高度依赖进口的供应链格局，使得国内电子产业极易受到国际市场价格波动、地缘政治等因素的冲击，自主可控能力不足的短板进一步凸显。

硬币的反面是国产DRAM突围的机遇，为破解进口依赖困局、保障供应链安全，已有多项针对性政策扶持半导体存储产业发展，助力本土存储企业的技术研发与产能扩张。政策红利的持续释放，叠加国内终端厂商对供应链自主可控的迫切需求，推动国产DRAM替代进程加速。

目前，国产DRAM龙头长鑫科技正加速推动IPO进程，招股书显示，长鑫科技已成为中国第一、全球第四大DRAM厂商，2025年第二季度全球市场份额提升至3.97%，长鑫科技在2025年最新发布的LPDDR5X与DDR5产品性能已达全球领先水平，LPDDR5X产品速率达10667Mbps，与SK海力士2024年10月量产的同规格产品完全对标，短短一年后长鑫LPDDR5X就在该速率级别实现首次技术突破，替代能力已经标准和市场的双重检验；DDR5产品最高速率已突破8000Mbps，单颗粒容量覆盖24Gb，逐步填补市场缺口，成为保障产业链韧性的中坚力量。

不同于国际巨头“弃低追高”策略，长鑫科技立足本土需求，凭借IDM模式，为国产产业链打造了一口属于自己的“深水井”，逐步从“替代补充”向“核心供应”的转型。招股书显示，长鑫科技已在合肥、北京两地建有3座12英寸DRAM晶圆厂，形成稳固的规模化产能基础，2022年至2025年上半年长鑫科技产能利用率从85.45%增长至94.63%。

从长鑫科技招股书披露信息来看，公司客户包括阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO、vivo等，已在服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等各大领域积累了广泛的优质客户资源。其稳定的产能输出的产品供应，不仅有助于公司抢占更多市场份额，更能有效缓解国内DRAM市场的供需缺口，提升国产存储的自给率，为下游产业发展提供稳定可靠的供应链保障。