从技术壁垒到利润飞轮，为什么DRAM比NAND更“值钱”？

2026年的中国半导体板块,正酝酿着一轮资本盛宴。长鑫科技集团股份有限公司于5月27日顺利过会;而在此前的5月19日,长江存储控股股份有限公司也完成了IPO辅导备案。这两家承载国产存储希望的巨头,在AI算力需求井喷、产业周期强势上行的关键时刻同步叩响资本市场大门,引发了投资者的高度聚焦。

不过,看似同处IPO高光时刻,二者背后的产业质地、技术纵深与盈利潜力却存在本质分野。DRAM与NAND虽都归属存储芯片大类,但其技术内核与商业法则几乎是两个世界。

DRAM:原子尺度的精密工艺,构筑利润护城河

外界常有误解,认为各类存储芯片的制造难度相差无几。但在产业内部,DRAM素有“芯片皇冠上的明珠”之称,其技术登顶之路绝非偶然。

从物理机制审视,DRAM的技术封锁近乎“自然法则级别的挑战”。每个存储单元由一颗精密晶体管与一枚超微电容耦合而成,相当于在纳米维度为每一比特数据搭建一间配备独立供电系统的“精密客房”——电荷必须持续稳定、杜绝任何泄漏,同时还要支撑高频次的高速读写。这种架构对制造精度的诉求已逼近原子尺度。反观NAND,其单元仅为单一浮栅晶体管,呈“积木式”架构,主流演进路径是通过垂直堆叠层数扩容,犹如逐层垒砌高楼,对微观精度的要求显著低于DRAM。

更为严峻的是产线设备的“路径锁定”效应,使得NAND厂商向DRAM转型几乎成为不可能完成的任务。NAND产线配置的是服务于“建筑施工”的重型装备,而DRAM产线则依赖面向“微雕艺术”的超精密仪器。指望前者转产后者,无异于让土木工程队转型制造瑞士机械表。纵观全球产业史,从未出现NAND厂商成功逆向切入DRAM并实现规模化量产的案例。

这种极高的技术门槛,必然要求持续的重金研发投入作为支撑。技术难度与工艺精度的双重领先,直接转化为商业端的溢价能力——无论本土企业还是国际巨头,DRAM业务的利润率均明显优于NAND。正是这种悬殊的技术代差,决定了DRAM必须以更高的利润率水平,来支撑巨额研发投入下的技术追赶与迭代。

高利润形成正向循环,驱动“盈利能力—资本开支—技术跃迁”的飞轮持续转动。每一代制程演进都需要更尖端设备及更长的验证周期,技术进步与资本消耗同步攀升。丰厚的利润回报为企业提供充沛的现金流,使其能够持续攻克更前沿的技术节点,将当期利润迅速转化为下一代产品的先发优势,完成从财务表现到技术制高点的闭环跃升。商业层面的超额收益,反过来又成为攻克下一轮技术难关的最强弹药。

在DRAM这一“强者恒强”的竞技场,研发强度的比拼是锁定未来竞争优势的核心底牌。据长鑫科技招股书披露,2025年研发投入高达95.93亿元,同比增幅达51.29%,2023至2025年三年累计研发投入突破206亿元。其研发投入占比不仅大幅超越半导体行业同期9.13%的平均水平,更显著高于同期国际DRAM巨头三星电子(11.31%)、SK海力士(6.66%)及美光(10.16%)。这正是长鑫科技着眼长远竞争格局、进行前瞻性技术储备的集中体现。

NAND:充分博弈的存量市场,以利润换份额的“囚徒”困境

相较之下,NAND的技术门槛明显低了一个量级。从单元结构看,NAND采用单一浮栅晶体管,功能仅涉及“存电”与“判电”两种状态,对电荷保持精度的要求远不及DRAM苛刻;从工艺路线看,NAND主要依托3D堆叠技术提升存储密度,如同加盖楼层,线宽微缩压力较小,光刻精度要求相对宽松;从良率爬坡看,NAND天然具备坏块容忍机制,可通过冗余设计与纠错算法屏蔽缺陷,良率提升曲线更为平缓;从产线投资看,NAND工厂虽同样造价不菲,但相比DRAM动辄百亿美元起步、需配备全球最顶尖光刻与刻蚀设备的"军备竞赛",准入门槛确实低了一个数量级。

技术壁垒的降低直接拉低了竞争门槛,市场参与者众多,主要厂商面临的竞争压力远大于DRAM赛道,不得不主动压缩利润空间以换取市场份额,这是竞争格局下的理性选择。

当前中国NAND闪存市场呈现多方混战的态势:除长江存储外,北京君正、江波龙、佰维存储等上市公司以及大量中小型模组厂商同台竞技。国内NAND生态中,既有长江存储这类IDM原厂,也有大量依赖外购晶圆的设计与封装企业,各方在消费电子、存储卡、固态硬盘等终端市场展开激烈客户争夺。

这一格局直接导致NAND价格战的触发频率更高。一旦上游产能集中释放或下游需求走弱,NAND价格的下跌弹性往往大于DRAM。而国内厂商云集的环境,进一步压缩了整体议价空间。更关键的是,白热化的竞争迫使长江存储不得不以降价策略争夺市场份额,这构成了NAND与DRAM在商业逻辑上的根本分野。

因此,尽管长江存储在NAND领域长期处于全球第二梯队,2025年末全球市占率接近11%、位列全球第六,但这一成绩很大程度上建立在主动让利的基础之上。从利润结构审视,其身处一个竞争极度充分、利润空间持续承压的生态。即便在产品技术上实现一定突破,由于NAND的技术难度天花板天然低于DRAM,该赛道的利润率“上限”注定难以与DRAM比肩。

从技术代差到商业分化:两条存储路线的价值分野

将上述分析串联,一条清晰的逻辑主线浮现出来:

技术维度:DRAM要求原子级的精密制造,良率爬坡缓慢、设备壁垒极高,国际头部厂商每一代平台的投入普遍超过百亿美元;NAND则侧重于三维堆叠层数的增加,准入门槛相对更低,新进入者更为活跃,这意味着玩家必须在利润空间上做出更大妥协以保住市场席位。

利润维度:长鑫科技的DRAM业务在2026年一季度净利润率接近49%,部分季度的盈利能力已逼近全球一线水平。这得益于DRAM高利润对技术与产品升级的持续反哺,形成“高利润—高投入—再升级”的良性循环。反观NAND市场,即便是龙头长江存储,受产能扩张叠加多品牌竞争影响,毛利水平尚未达到DRAM的对应高度。加之NAND市场竞争异常激烈,各厂商为抢占份额主动压价,进一步拉大了与DRAM的盈利差距。

格局维度:AI时代,DRAM已成为算力基础设施的“战略要塞”,全球价格中枢持续抬升;而NAND市场因北京君正等多路选手并行,供给弹性充裕、价格调控难度大,长江存储面临的是更为拥挤的战场与更频繁的价格博弈。

长鑫科技与长江存储相继登陆A股,无疑是国产存储产业的重要里程碑。但若从长期盈利能力与投资价值的视角审视,DRAM凭借更高的技术壁垒与更刚性的需求属性,为长鑫科技构筑了更深厚、更持久的护城河。NAND作为体量庞大的持久化存储市场,其产业价值同样不可替代,但在利润率的天花板面前,终究要让位于技术难度更高、壁垒更厚的DRAM赛道。唯有DRAM的高额利润能够持续反哺产业,驱动企业将盈利转化为更大规模的研发与资本投入,在技术迭代中不断巩固领先地位。随着国产存储双雄陆续进入资本市场,两种技术路线与商业模式之间的价值差异,终将在市场定价中得到充分验证。