从国产存储双雄IPO看DRAM与NAND的利润分化逻辑

2026年国内半导体行业迎来新一轮上市热潮,国产存储芯片两大龙头企业迎来资本关键节点。5月27日,长鑫科技科创板IPO获上市委会议通过;此前5月19日,长江存储已完成IPO辅导备案。作为国产存储领域的两大核心力量,长鑫科技深耕DRAM赛道,长江存储聚焦NAND闪存领域,二者同步冲刺资本市场,恰逢AI算力爆发、存储行业景气度持续攀升的黄金窗口期,成为资本市场关注的焦点。

值得关注的是,两家头部企业虽同属存储芯片赛道,所处行业格局、技术壁垒、利润空间却截然不同。DRAM与NAND作为存储行业两大核心品类,看似功能同源、赛道相近,实则技术逻辑、生产门槛与商业盈利模式存在本质鸿沟,这也直接造就了两大赛道截然不同的利润表现与发展前景。

DRAM:极致工艺构筑高壁垒,高利润驱动产业正向循环

在半导体行业内,DRAM的制造工艺堪称芯片领域的顶级难题,是公认的高壁垒赛道,其技术门槛源自近乎物理极限的微观工艺要求,与大众认知中“存储芯片制造难度趋同”的误区截然不同。

从核心结构来看,DRAM的基础存储单元由独立晶体管与微型电容器组成,每一个数据比特都对应一套独立的电荷存储与维持体系。为保障数据高速读写、长期稳定存储,厂商需在纳米尺度下实现原子级工艺把控,精准抑制电荷漏电、维持电压稳定,对光刻、刻蚀、薄膜沉积等核心制程的精度要求达到行业顶尖水平。反观NAND闪存,依托浮栅晶体管的简易单元结构,以3D堆叠为核心迭代路径,如同垂直盖楼般通过增加层数提升存储容量,无需极致压缩制程精度,微观工艺难度远低于DRAM。

极高的工艺难度带来了不可逾越的产线壁垒,两大赛道的生产设备完全无法通用。DRAM产线主打超高精度精密加工,适配原子级雕刻式制程需求;NAND产线侧重堆叠式规模化生产,设备精度要求相对宽松。二者的设备体系、生产逻辑、工艺标准完全割裂,业内素来有“NAND工厂转产DRAM,如同建筑工地改造瑞士手表生产线”的说法。纵观全球行业发展历程,从未有NAND厂商跨界实现DRAM大规模量产,足见DRAM赛道的硬核壁垒。

高壁垒的背后是持续、高额的研发与资本投入,这也为DRAM赛道奠定了高利润的底层基础。不同于普通半导体赛道,DRAM每一代制程迭代都需要百亿级资本投入,依赖顶级设备迭代与长期流片验证,高额的投入成本天然筛选出少量头部玩家,形成“赢家通吃”的行业格局。稀缺的市场格局规避了无序价格战,让厂商能够维持稳定且高额的利润率。

同时,DRAM的高利润会持续反哺技术研发,形成闭环增长模式。企业凭借高利润获得充足现金流,持续加码设备升级、技术攻坚与新品研发,快速将利润优势转化为技术迭代优势,进一步巩固行业壁垒,实现“高利润—高投入—高技术—更高利润”的正向飞轮。

长鑫科技的研发投入数据,正是国产DRAM赛道重研发、重攻坚的真实缩影。招股书数据显示,2025年公司研发投入达95.93亿元,同比大幅增长51.29%,2023至2025年累计研发投入超206亿元。从投入占比来看,其研发费率远超半导体行业9.13%的平均水平,同时大幅领先三星电子(11.31%)、SK海力士(6.66%)、美光(10.16%)等全球DRAM巨头,充分体现出国产DRAM企业为突破技术瓶颈、抢占未来赛道的前瞻性布局,也印证了DRAM赛道高研发、高投入、高壁垒的核心特征。依托技术壁垒与优质行业格局,长鑫科技盈利能力持续攀升,2026年Q1净利润率接近49%,部分季度盈利水平已然追平全球一线DRAM厂商。

NAND:低门槛引发红海竞争,以利润换市场成常态

与DRAM的高壁垒、高利润格局形成鲜明对比,NAND闪存赛道凭借相对宽松的技术门槛,成为存储行业的红海市场,激烈的同质化竞争持续压缩行业整体利润空间。

从技术原理与生产工艺来看,NAND的迭代逻辑简单清晰。其存储单元仅依靠浮栅晶体管完成电荷存储与识别,功能逻辑单一,无需严苛的电荷稳定性控制;制程迭代核心依靠3D堆叠层数提升存储密度,无需极致缩减制程线宽,光刻、刻蚀等核心工艺压力大幅降低。同时,NAND产品具备极强的容错性,行业可通过冗余设计、智能纠错机制屏蔽生产过程中的坏块缺陷,产品良率爬升速度快、量产难度低。在产线投资层面,NAND产线虽同样具备重资产属性,但相较于DRAM百亿级起步的精密产线投入,整体入门门槛降低一个量级,大量企业具备入局条件。

技术壁垒的弱化直接降低了行业准入门槛,让国内NAND赛道呈现玩家扎堆、竞争白热化的格局。目前国内NAND领域不仅有长江存储这一核心IDM原厂,还汇聚了北京君正、江波龙、佰维存储等多家上市企业,以及大量中小型模组、封装企业。众多市场玩家集中在消费电子存储、固态硬盘、存储卡等终端赛道争夺市场份额,行业同质化竞争愈发激烈。

拥挤的市场格局直接导致NAND赛道价格战频发,利润空间持续被压缩。行业供需稍有波动,无论是上游产能集中释放,还是下游消费电子需求疲软,都会引发NAND产品价格快速下跌,价格波动幅度与速度均远超DRAM。国内海量厂商的同台竞争,进一步削弱了企业议价能力,以利润换份额成为行业生存常态。

作为国产NAND龙头,长江存储的行业地位与盈利现状,充分体现了赛道的利润局限性。目前长江存储稳居全球NAND市场第二梯队,2025年末其全球市场占有率接近11%,位列全球第六。但其市场份额的稳步提升,本质上是依靠主动压缩利润、让利终端市场实现的,并非依托技术壁垒形成的垄断优势。即便长江存储在3D堆叠等核心技术上持续实现国产突破,补齐了技术短板,但受限于赛道天然的低壁垒、高竞争属性,其盈利天花板始终远低于DRAM赛道,产能扩张与行业内卷进一步压制了整体毛利水平。

技术打底、格局定调、需求赋能:存储盈利分化逻辑

纵观DRAM与NAND两大存储赛道的发展现状,二者的利润差距并非偶然,而是技术壁垒、行业格局、市场需求共同作用的必然结果,形成了清晰的差异化商业逻辑链条。

技术维度上,DRAM是半导体工艺的极致代表,原子级加工精度、专属精密产线、百亿级代际投入、缓慢的良率爬升速度,构筑起全方位、高坚固度的行业壁垒,成功阻挡绝大多数新进玩家入局,行业格局高度集中。而NAND依托3D堆叠的轻量化迭代模式,工艺难度、设备门槛、容错成本全面更低,入局者络绎不绝,市场供给充足且弹性极强。

利润维度上,壁垒差异直接转化为利润差距。DRAM寡头垄断的市场格局,规避了无序价格竞争,高研发投入对应的高价值技术,顺利转化为高额利润,持续的高利润率又反哺技术迭代,形成良性产业循环。而NAND高度充分的竞争格局,让所有厂商都陷入“份额优先、利润后置”的内卷困境,即便头部企业也难以实现高利润,赛道利润天花板被彻底锁定。

需求与格局维度上,AI产业的爆发进一步放大了双赛道的差距。当下AI算力产业高速发展,高速度、高稳定性的DRAM成为算力基础设施的核心刚需,市场需求刚性极强,持续推高全球DRAM价格中枢,巩固了赛道的高利润属性。而NAND作为大容量持久化存储载体,虽刚需属性明确、市场体量庞大,但国内产能充足、玩家众多,价格调控难度极大,企业始终处于高强度的价格博弈之中。

从资本市场视角来看,长鑫科技与长江存储的接连IPO,是国产存储产业崛起的标志性事件,意味着我国已实现两大核心存储赛道的自主可控突破。但从长期投资价值与产业成长性来看,两条赛道的发展潜力截然不同。DRAM凭借顶级技术壁垒、集中的行业格局、刚性的AI算力需求,构筑了深厚且持久的竞争护城河,高利润的商业模式能够持续驱动技术升级,实现长期领跑。

NAND赛道虽不可或缺,是消费电子、数据中心等领域的核心基础,但受限于低壁垒、高内卷的行业特性,利润空间长期受限。未来随着两家国产存储龙头正式登陆A股市场,资本市场将逐步完成对两大赛道商业模式、盈利能力与成长空间的差异化定价,国产存储产业也将正式进入“技术壁垒定利润、核心算力定价值”的精细化发展新阶段。