2026国产存储资本化：拆解DRAM与NAND的赛道价值鸿沟

2026年,中国半导体产业有望迎来新一轮上市热潮。5月27日,长鑫科技科创板IPO获上市委会议通过;而就在数日前的5月19日,长江存储也完成了IPO辅导备案。在AI算力需求井喷、存储行业景气度远超常规水平的窗口期,中国存储芯片领域的“双子星”长鑫与长江,不期而遇地被推至资本市场的聚光灯下。

然而,二者虽然同属存储赛道,IPO节奏也大致同步,但背后的技术起点、盈利逻辑以及资本市场的想象空间,却有着本质差异。DRAM与NAND,看似都是“存数据”的芯片,实则技术路线与商业模式天差地别。

高难度工艺隔绝让利竞争,构筑DRAM良性产业生态

许多业外人士认为,“做存储”难度相差无几。但业内人士都清楚,DRAM的制造难度,堪称半导体领域的“珠峰登顶”。

从微观结构来看,DRAM的每一个存储单元都由一个精密晶体管和一颗极微小电容器组成,相当于在纳米尺度上为每个比特数据搭建一间“带独立供电的单间”,必须确保电荷持续稳定、严防漏电,同时支持超高速的反复读写。这种结构对工艺精度的要求,已经逼近原子级别的极限。与之相比,NAND的存储单元是单一的浮栅晶体管,结构简单,类似“乐高积木”;主流技术路线依靠不断增加垂直堆叠层数来提升容量,对微观精度的要求远低于DRAM。

更关键的是,生产线的不可复用性彻底堵死了NAND厂商转产DRAM的路径。NAND产线是为“盖楼式堆叠”准备的相对粗放的设备,而DRAM产线是为“雕刻式精加工”配备的高精密装备。让一家NAND工厂转做DRAM,无异于让建筑工地去生产瑞士手表。纵观全球存储产业史,从未出现NAND厂商反向杀入DRAM并实现大规模量产的先例。

DRAM之所以技术壁垒极高,背后离不开常年累月的高强度研发投入。它的技术要求和工艺难度可谓一骑绝尘,这也直接拉开了与NAND的竞争差距,并在商业端带来了更为直接的正反馈——无论是对国内企业还是国际大厂,DRAM的利润率都显著高于NAND。正因技术门槛的悬殊,DRAM需要比NAND更高的利润回报,才能支撑起持续的高研发投入,进而实现持续技术迭代。

高利润反过来又持续反哺DRAM产业,形成一个“高利润→高资本支出→技术再升级”的正向飞轮。每一代制程跃迁都需要更高精度的设备、更长的流片周期,技术进步意味着资本的“燃烧”更加猛烈。而高利润为企业提供了充沛的现金流,使其能够继续“砸钱”攻克更先进的节点,迅速将今天的利润转化为下一代产品的先发优势。从盈利能力到技术制高点,这条路越走越宽,商业上的丰厚回报成为攻克下一代技术难题最坚实的后盾。

在DRAM这个“赢家通吃”的赛道上,高强度研发投入就是布局未来竞争优势的核心筹码。根据长鑫科技招股书披露的数据:2025年,公司研发投入达到95.93亿元,较2024年大幅增长51.29%;2023年至2025年累计研发投入高达206.05亿元。其研发投入占营收的比重,不仅远远超过半导体行业同期9.13%的平均水平,更显著高于国际DRAM三巨头——三星电子(11.31%)、SK海力士(6.66%)和美光(10.16%)。这正是长鑫为谋取未来竞争位势、前瞻性进行技术投入的鲜明写照。

赛道门槛亲民、竞争白热化,NAND利润让步成常态选择

与DRAM形成鲜明对比的是,NAND的技术门槛明显更低。

从微观层面看,NAND的存储单元只是单一的浮栅晶体管,结构简单,功能上无非“存电”与“判电”两种状态,对电荷保持精度的要求远不及DRAM那般苛刻。从制造工艺看,NAND主要靠增加3D堆叠层数来扩容——像盖楼一样一层一层往上加,对线宽微缩的压力较小,光刻精度要求相对宽松。从良率看,NAND天生可以容忍一定比例的坏块,通过冗余设计和纠错机制就能轻松屏蔽缺陷,良率爬升远比DRAM容易。从产线投资看,NAND晶圆厂虽然也价格不菲,但相比DRAM动辄百亿美元起步、需要全球最顶级光刻机和刻蚀设备的“军备竞赛”,NAND的入场门槛要低出一个数量级。

正因为技术壁垒较低,NAND行业的竞争门槛随之下降,参与者众多。这直接导致主要厂商面临比DRAM大得多的竞争压力,不得不主动降低利润率来抢夺市场份额——这完全是市场格局下的自然选择。

当前,中国NAND闪存市场早已不是长江存储一家独大。北京君正、江波龙、佰维存储等多家上市公司,以及大量中小型存储模组厂,已形成混战格局。在国内NAND相关市场中,既有长江存储这样的IDM原厂,也有大量依赖第三方晶圆的设计公司和封装厂商,大家在消费电子、存储卡、SSD等终端领域贴身肉搏。

这种格局直接导致一个后果:NAND的价格战来得更容易、更频繁。一旦上游产能释放或下游需求疲软,NAND价格下跌的速度往往比DRAM更快。而国内NAND厂商云集的环境,进一步压缩了议价空间。更关键的是,激烈的竞争让长江存储不得不通过让出利润空间来争夺份额——这正是NAND赛道与DRAM赛道在商业逻辑上的本质分野。

因此,长江存储虽然在NAND领域常年位居全球第二梯队,市场份额也处于艰难爬坡之中(2025年末全球NAND市占率达到11%,排在全球第六位),但这种地位的取得,很大程度上是厂商主动压薄利润的结果。从盈利结构看,它身处一个竞争高度充分、利润空间天然受限的环境。即便长江存储在NAND产品技术上实现了局部追赶,但由于NAND技术难度天然低于DRAM,这条赛道的利润率“天花板”也注定要矮上一截。

不止技术攻坚:行业竞争与市场需求重塑存储商业价值

将以上分析汇总,一条清晰的逻辑链条便浮现出来:

第一,技术难度层面。

DRAM需要原子级的精密雕刻,良率爬升缓慢,设备壁垒极高,国际头部厂商每升级一代平台往往要投入超百亿美元。而NAND侧重于3D堆叠层数,门槛相对较低,新进入者更多。更高的技术难度带来更高的进入壁垒,也意味着存活下来的玩家不必像NAND厂商那样频繁让利。

第二,利润率层面。

长鑫的DRAM在2026年Q1净利润率接近49%,部分季度盈利能力直追全球一线厂商。这背后正是DRAM高利润反哺技术提升,进而形成“高利润→高投入→再升级”的良性循环。反观NAND市场,即便是龙头企业长江存储,目前毛利水平因产能扩张叠加多品牌竞争,仍未达到DRAM的高度。同时,NAND市场竞争异常惨烈,各厂商为抢占份额不得不主动压价,进一步拉大了与DRAM在盈利水平上的差距。

第三,市场格局层面。

AI时代,DRAM已升级为争夺算力前沿的“战略高地”,全球DRAM价格中枢被不断推高。而NAND市场上,国内有多路选手并行作战,供给弹性大、价格调控难度高,长江存储面临的是远比DRAM拥挤的赛道和更频繁的价格博弈。

综上所述,对于资本市场而言,长鑫与长江的双双IPO固然标志着国产存储的阶段性胜利。但从长期盈利能力和投资价值来看,DRAM凭借更高的技术壁垒和更刚性的需求,为长鑫构筑了一条更宽、更持久的护城河。NAND作为体量庞大且充分竞争的持久化存储市场,同样不可或缺,但在利润率的“天花板”面前,注定要让位给难度更高、壁垒更厚的DRAM产业。因为只有DRAM的高利润,才能持续反哺产业,驱动企业将利润转化为更大规模的研发与资本投入,从而在技术迭代中不断加固先发优势。

未来,随着中国存储双雄相继登陆A股,两种截然不同的技术路线与商业模式所带来的差异化想象空间,终将被市场定价逐步验证。对于投资者而言,认清DRAM与NAND在底层逻辑上的“冰与火”,或许比追逐短期热点更为重要。